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本所設備可分為：製程設備、檢測設備、薄膜設備、 加工設備、相關設備
製程設備
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名稱
中文：電子束蒸鍍機
英文： Electron Beam Evaporator
功能與服務項目：
1. 薄膜蒸鍍 Thin Films Evaporator
2. 基材種類 Kinds of Substrate :glass and wafer
3. 基材尺寸 Substrate Sizes ： 2 ”、 4 ”、 6 ”
4. 靶材種類 Kinds of Target ： Ti 、 Cr 、 Ag 、 Al 、 Ni 、 Au
5. 最小蒸鍍速率 The Velocity of Minimum Evaporator ： 0.1 A /S
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名稱
中文：電子迴旋共振式電漿輔助化學氣相沈積系統
英文： Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition
功能與服務項目：
1. 表面電漿處理（氫氣電漿、氮氣電漿、氨氣電漿）
Surface plasma treatment (H 2 plasma, N 2 plasma, NH 3 plasma
2. 奈米碳管合成 ( 備有甲烷與丙烷、基板 可加熱至 800 o C)
For Carbon Nanotubes Synthesis (Carbon feedstock: CH 4 and C 3 H 8 , Substrate can be heated up to 800 o C)
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名稱
中文：濺鍍系統
英文： Sputter System
功能（ Function ）：
奈米薄膜沉積（ nano film deposition ）
服務項目（ Service Item ）：
1.CD-RW 、 DVD-RW 、 metal and oxide coating
2.TN/STN-color filter ITO SiO2 film
3.MEMS process
4.Ni-Cr coating for chip resister
5.Al-Si coating for IC driver
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名稱
中文：離子濺鍍系統
英文： Ion Beam Sputter
功能與服務項目：
1. 以物理氣相沈積法，提供金屬與非金屬鍍膜
Physical vapor deposition: for Metal and Insulator deposition 2. 可同時置放 3 個靶，提供多層膜濺鍍使用
Equipped with 3 targets for multilayer deposition
3. 基板可加熱至 400 o C ，並備有 DC 偏壓
High temperature deposition up to 400 o C is available
4. 備有 O 2 與 N 2 氣體， 可備製氧化物與氮化物
Oxide and Nitride deposition are possible with O 2 and N 2
5. 低鍍率 ， 可準確控制膜厚
Well thickness control by low deposition rate
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檢測設備
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名稱
中文：原子力顯微鏡
英文： Atomic Force Microscopy(AFM)
廠牌及型號 ：
Burleigh Instruments (UK) Ltd. － METRIS 2001
功能：
光學鍍膜檢測，分析薄膜材料特性。
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原理： 顯微鏡能取得樣品表原子力面結構形狀至原子解析度，並且適用於各種材料，不像 STM 受限於導電材質，因此已成為掃描探針顯微術中最重要的技術，尤其是對於傳統掃描電子顯微術無法清楚解析之樣品，更是最佳檢測工具。
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名稱
中文：紫外光 / 可見光光譜儀
英文： Ultraviolet/Visible Spectrophotometer
(UV/Vis Spectrophotometer)
廠牌及型號：
Hitachi Instruments, Inc. － U-3310
功能：
光譜儀多用於分析水中之非金屬分子或離子化合物，早期僅利用到可見光譜，為了補足肉眼比色之精度不足問題，後來才發展到利用紫外光譜區，近年分析理論愈加完備，更延伸到生化領域，針對化合物中某些特殊吸光之官能基，而分析一些外觀不具明顯顏色之目標物。
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原理：光譜儀之原理，乃是利用可見光及紫外光之燈管 (Lamp) 做為光源，通過濾光鏡調整色調後，經聚焦後通過單色光分光稜鏡，再經過狹縫選擇波長，使成單一且特定波長之光線，而後射入樣品管中之水樣中，最後射入光電管中將光能轉換為電器訊號，藉由樣本及空白水樣間所吸收之光能量差，與標準液之能量吸收值相比較，便可律定樣本中之待測物濃度。
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名稱
中文：光度計與光幅射計
英文： Photometers & spectroradiometers
廠牌及型號：
Photo Research Inc. － PR-650
功能：
用於測量汽車、航空、計算機、照明、顯示器 ... 等光源的顏色和強度。
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名稱
中文：FEG-TEM 穿透式電子顯微鏡
型號：
Philips Tecnai G2 F20 FEG-TEM
功能：
1.察分析及微束繞射分析 ( 可選定區域作微區域繞射 ) 。
2.元素分析 (spot or line scan)
3.高解析原子影像 (high resolution atomic image) 。
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名稱
中文：SEM 掃描式電子顯微鏡
英文：Scanning Electron Microscopy
功能與服務項目：
1.Surface Topography Observations (magnification of 30X to 100,000X )
2.Chemical Composition Identification and Quantitative Analyses (Detect Limits Z 3 5)
3.Material Failure Analyses
4.Quality Reliability & Production Process Evaluation
5.Biological Specimen (Natural-SEM) |
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名稱
中文：振動樣品磁化儀
英文：Vibrating Sample Magnetometet
功能與服務項目：
1.磁化量
2.飽和磁化量
3.殘餘磁化量
4.頑磁力 |
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名稱
中文：光譜式橢圓儀
英文：Spectroscopic Ellipsometry
功能與服務項目：
1.量測折射率 n 與消光係數 k
2.非破壞性量測透明薄膜膜厚 t
3.determine optical constants and film thickness ( n , k , t ).
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名稱
中文：表面聲波濾波器發展測示系統
英文：Surface Acoustic Wave Filter system
功能與服務項目：
1.表面聲波波形量測
Surface acoustic wave measurement
2.體聲波波形量測
Bulk acoustic wave measurement
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名稱
中文：倒立式顯微鏡
英文：Inversion Fluorescence Microscope
功能與服務項目：
1.各式細胞觀測 (Cell morphology observation)
2.去氧核醣核酸分子觀測 (DNA molecule observation)
3.蛋白質分子觀測 (Protein molecule observation)
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名稱
中文：傅立葉紅外線光譜儀
英文：Fourier Transform Infrared spectrometer
功能與服務項目：
1.檢測項目：分子振動旋轉吸收或穿透光譜
Test items: Molecular rotational absorbance/transmittance or vibrational absorbance/transmittance
2.檢測方式：穿透式或反射式
Test methods: Transmission or reflectance
3.樣品型態：固體或液體
Test samples: Solid or liquid
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名稱
中文：超導核磁共振儀 ( BRUKER-NMR 400MHz )
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薄膜設備
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名稱
中文：名自動化橢圓偏光儀
英文： Automatic ellipsometer
廠牌及型號：
FiveLab － MARY-102
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原理：光學薄膜的膜質檢測，力學方面有膜與基板間之附著力、硬度、內應力等檢測重點。光學方面，則以量測薄膜之折射率與厚度為主要目標。欲量測薄膜折射率與厚度，可用許多不同的儀器來達到目的，如：干涉儀、探針掃瞄儀、光譜儀等，但欲在一次量測過程中，同時且非常精確量測此二重要數據的儀器，則非橢圓偏光儀莫屬。
橢圓偏光儀係利用光線在與樣品接觸前後，其偏極狀態 (polarization states) 會有明顯改變的現象，來量測薄膜折射率與厚度的儀器。自動化橢圓偏光儀除可用在光學薄膜成長過程之即時監控外，亦可用在半導體薄膜、磁性薄膜等之品質監控。
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名稱
中文：濺鍍系統
英文： Sputtering system(Sputter)
廠牌及型號：ANELVA CORPORATION －
:功能與服務項目：
製作導體、非導體薄膜，反應性、發光二極體 (LED) 之鍍膜製程。
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名稱
中文：電子槍蒸鍍系統
英文： Electron-Gun evaporation system
廠牌及型號：
ANELVA CORPORATION
功能與服務項目：
高熔點物質、半導體或氧化物之薄膜蒸鍍
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名稱
中文：電漿輔助化學氣相沉積系統
英文： Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition system(PECVD)
廠牌及型號：
倍強真空科技股份有限公司
在低壓低溫下，製作半導體薄膜。
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名稱
中文：金屬有機化學氣相沉積系統
英文： Metal Organic Chemical Vapor Deposition system(MOCVD)
廠牌及型號：
南台科技大學光電半導體中心自行組裝
製作化合物半導體或 SBT 、 PZT 等 high k 之薄膜成長
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名稱
中文：有機發光二極體多工製程系統
英文： Organic Light-Emitting Diode(OLED)
廠牌及型號：
倍強真空科技股份有限公司
有機材料薄膜成長
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加工設備
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名稱
中文：活性離子蝕刻系統
英文： Reactive Ion Etching system(RIE)
廠牌及型號：
倍強真空科技股份有限公司
功能：
蝕刻二氧化矽、氮化矽、複晶矽、單晶矽等材料
規格：
Single process chamber ： 6" wafer
Pumping ： root + MP, P< 5x10 -3 torr.
Power supply ： 600W RF power + match box.
Gas supply ： MFC (N 2 , H 2 , O 2 , SF 6 , CH 4 , CF 4 , Cl 2 , HBr, Cl 2 , Ar, BCl 3 )
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名稱
中文：光罩對準曝光系統
英文： Mask alignment & exposure system
廠牌及型號：
Opticoat Associates Inc.(OAI) － MODEL J500-IR/VISIBLE
功能：
積體電路、半導體元件之對準曝光
規格：Chuck motions ： X 、 Y 、 Z & q
Mask rotation ：± 15 degree
光罩尺寸： 9" x 9"
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名稱
中文：高溫氧化擴散爐系統
英文： Oxidation & diffusion furnace system
廠牌及型號：
肯昇有限公司
功能：
濕氧氧化、乾氧氧化及 TCA 氧化之氧化層成長
各種金屬矽化物的形成 (silicidation)
N- 型， P- 型的置入 (drive-in)
金屬鋁的退火 (Al sintering)
磷玻璃，磷硼玻璃的平坦化 (reflow)
磷的預置 (POCl3 predeposition)
規格：
Heating ： thermal resistive up to 1200 ℃
Loading ： manual load/unload
Quartz tube ： x2, for 6" wafer, 50 wafer a batch.
Gas supply ： N 2 , O 2 , H 2 , flow meter.
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相關設備
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名稱
中文：半導體參數分析儀
英文： Semiconductor parametric analyzers
廠牌及型號：
Agilent Technologies. － HP4155B
功能：
可全自動量測 I-V 曲線，脈波量測，低電流量測，錯誤分析量測，元件分析。
規格：Probes: x 3 with x-y stage and light shielding
I: 1fA ~ 100mA
V: 2 m V ~ 100V
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名稱
中文：電容 - 電壓繪圖系統
英文： CV map systems
廠牌及型號：
Four Dimensions, Inc. － CV map 92a
功能：
用以量測及描繪矽、化合物半導體材料之特性
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名稱
中文：高度加速壽命試驗機
英文：Highly Accelerated Stress Test (HAST)
廠牌及型號：
ENVRON － PTH-201-R 功能 : 可對樣品做濕度、溫度、壓力、電壓等控制測試
規格：
Test Chamber ： DI400xD550mm 2 , auto control.
Humidity ： RH30% ~100% ± 1%
Temperature ： 105~170 ℃ ± 0.5 ℃
Pressure ： 0.2~2.2kg/cm 2 ± 0.5%
Continuous test ： 500hr
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名稱
中文：四點探針繪圖系統
英文： Four-point probe mapping system
廠牌及型號：
Four Dimensions, Inc. － MODEL 280SI
功能：
半導體層、雜質擴散層或離子佈植層電阻係數的量測及繪圖。
規格：
Wafer or square wafer maximum size ： 8" wafer or 6" x 6" square wafer
Sheet resistance range ： 1m Ω /square ~ 800K Ω /square
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